Saat ini, penerapan laser semikonduktor berdaya tinggi mencakup hampir semua bidang teknologi tinggi termasuk kedirgantaraan militer, produksi industri, perawatan medis dan kesehatan, termasuk penyimpanan data, komunikasi serat optik, laser fuze, teknologi holografik, pencetakan pemindaian, kinerja hiburan, dll. Alasannya karena banyak keunggulannya sendiri, seperti harga murah, integrasi kuat, konsumsi daya rendah dan efisiensi tinggi. 80Laser semikonduktor berdaya tinggi 8nm adalah sejenis laser semikonduktor yang dimulai lebih awal dan dipelajari lebih dalam. Salah satu aplikasi terpentingnya adalah sebagai sumber pompa untuk laser solid-state. Sekarang pada dasarnya telah menggantikan sumber pompa lampu tradisional. Alasan utamanya adalah Atau karena efisiensi konversi yang tinggi yang tidak dapat dicapai oleh pemompaan lampu tradisional. 90Laser semikonduktor berkekuatan tinggi 5 nm tidak berbahaya bagi mata manusia, sehingga banyak digunakan dalam terapi mata laser, penglihatan malam inframerah, realitas virtual, dan sebagainya. Laser semikonduktor yang dirancang dalam makalah ini semuanya mengadopsi struktur rongga besar, yang tidak hanya dapat meningkatkan ambang kerusakan permukaan rongga katastropik, tetapi juga menekan penguat mode tingkat tinggi. Sumur kuantum laser semikonduktor 808nm masing-masing mengadopsi InAlGaAs dan GaAsP, dan penggunaan sumur kuantum GaAsP bebas aluminium bermanfaat untuk meningkatkan keandalan perangkat. Laser 905nm mengadopsi struktur kaskade terowongan wilayah multiaktif, yang dapat meningkatkan efisiensi kuantum internal laser secara signifikan. Makalah ini terutama mempelajari laser semikonduktor berdaya tinggi 808nm dan 905nm dari aspek berikut: Pertama, sejarah pengembangan, status penelitian, dan aplikasi laser semikonduktor diperkenalkan. Kedua, prinsip kerja dan tindakan pencegahan peralatan pertumbuhan wafer epitaxial dan peralatan pengujian diuraikan. Di laboratorium ini, sistem EMCORE D125 metal-organic compound vapor deposition (MOCVD) dari perusahaan Vecco di Amerika Serikat digunakan untuk pertumbuhan wafer epitaxial. Alat ujinya adalah sistem uji spektrum fluoresensi optik PLM-100 dari perusahaan Philips dan model CV elektrokimia dari Accent PN44{{40}}0. (ECV) sistem uji. Kemudian, proses desain laser semikonduktor sumur kuantum tegang khas diperkenalkan, termasuk perhitungan celah pita sumur kuantum tegang, perhitungan urutan pita, hubungan antara panjang gelombang penguat dan komposisi bahan sumur kuantum dan lebar sumur , dll. Simulasi menggunakan matriks transfer berbasis Kohn-Luttinger Hamiltonian. Berdasarkan teori di atas, simulasi dilakukan pada daerah aktif laser semikonduktor 808nm dan 905nm untuk menentukan komposisi material dan lebar lubang sumur kuantum. Sumur kuantum laser semikonduktor 808nm menggunakan masing-masing 10nm In0.14Al0.11Ga0.75As dan 12nm. Sumur kuantum laser semikonduktor GaAs0.84P0.16, 905nm mengadopsi In0.1Ga0.9As 7nm, dan wilayah aktif mengadopsi struktur sumur kuantum ganda. Lapisan penghalang dan lapisan pandu gelombang laser semikonduktor 808nm dan 905nm adalah Al0.3Ga0.7As, dan lapisan kurungan adalah Al0.5Ga0.5As. Atas dasar ini, pertumbuhan epitaxial MOCVD dilakukan pada struktur daerah aktif, dan struktur dan kondisi epitaxial dioptimalkan sesuai dengan hasil uji PL, dan akhirnya struktur daerah aktif yang dioptimalkan diperoleh. Akhirnya, berdasarkan wilayah aktif sumur kuantum setelah optimasi epitaksi, dengan meningkatkan ketebalan lapisan pandu gelombang, lapisan kurungan, lapisan penutup, dll., Dan melakukan doping yang sesuai, struktur ditumbuhkan secara epitaksi oleh sistem epitaksi MOCVD, dan kemudian struktur mengalami fotolitografi. , korosi, pengendapan, sputtering, pembelahan, pelapisan, sintering, pengelasan tekanan, pengemasan dan proses pasca lainnya, laser die yang telah selesai disiapkan. Pro dan kontra dari kinerja
