Identifikasi dan Penilaian FET Menggunakan Multimeter
Transistor efek medan, disingkat FET. Transistor tipikal terdiri dari dua polaritas pembawa muatan, yaitu pembawa muatan mayoritas dan pembawa muatan minoritas dengan polaritas berlawanan, berpartisipasi dalam konduksi, oleh karena itu disebut transistor bipolar. Sebaliknya, FET hanya terdiri dari pembawa muatan mayoritas yang berpartisipasi dalam konduksi, dan merupakan kebalikan dari bipolar, yang juga dikenal sebagai transistor unipolar. Itu milik perangkat semikonduktor yang dikontrol tegangan dan memiliki keunggulan resistansi masukan tinggi (108-109 Ω), kebisingan rendah, konsumsi daya rendah, rentang dinamis besar, integrasi mudah, tidak ada fenomena kerusakan sekunder, dan area kerja aman yang luas. Ini telah menjadi pesaing kuat transistor bipolar dan transistor daya.
Pengujian Transistor Efek Medan
1. Identifikasi pin transistor efek medan persimpangan:
Gerbang transistor efek medan setara dengan basis transistor, dan sumber serta saluran pembuangan masing-masing berhubungan dengan emitor dan kolektor transistor. Tempatkan dalam kisaran R × 1k dan gunakan dua probe untuk mengukur resistansi maju dan mundur antara masing-masing dua pin. Ketika resistansi maju dan mundur antara dua pin sama, keduanya dalam urutan K Ω, kedua pin ini adalah saluran D dan sumber S (dapat dipertukarkan), dan pin yang tersisa adalah gerbang G. Untuk transistor efek medan persimpangan dengan empat pin, kutub lainnya adalah pelindung (dibumikan saat digunakan).
2. Gerbang penghakiman
Sentuh salah satu elektroda tabung dengan probe hitam pada multimeter, dan sentuh dua elektroda lainnya dengan probe merah. Jika nilai resistansi yang diukur dua kali keduanya sangat kecil, hal ini menunjukkan bahwa keduanya merupakan resistor maju. Transistor ini termasuk dalam transistor efek medan saluran-N, dan probe hitam juga dihubungkan ke gerbang.
Proses pembuatannya menentukan bahwa sumber dan saluran pembuangan transistor efek medan adalah simetris, dapat dipertukarkan, dan tidak mempengaruhi pengoperasian normal rangkaian, sehingga tidak perlu membedakannya. Hambatan antara sumber dan saluran pembuangan sekitar beberapa ribu ohm.
Perhatikan bahwa metode ini tidak dapat digunakan untuk menentukan gerbang transistor efek medan gerbang terisolasi. Karena resistansi masukan dari tabung jenis ini sangat tinggi dan kapasitansi antar elektroda antara gerbang dan sumber sangat kecil, sejumlah kecil muatan dapat membentuk tegangan tinggi pada kapasitansi antar elektroda selama pengukuran, yang dapat dengan mudah merusak tabung.
