Bagaimana cara menggunakan multimeter untuk mendeteksi kualitas tabung efek lapangan?
Karena adanya dioda redaman antara kutub DS dari MOSFET yang umum digunakan, kinerja MOSFET dapat ditentukan dengan menggunakan level dioda multimeter digital untuk mendeteksi penurunan tegangan dioda antara kutub DS. Metode deteksi terperinci adalah sebagai berikut.
Putar sakelar gear dari multimeter digital ke mode dioda, sambungkan probe merah ke tiang S dan probe hitam ke tiang D. Pada saat ini, layar multimeter akan menampilkan nilai drop tegangan dioda antara kutub DS. Nilai drop voltage dari transistor efek medan daya tinggi biasanya antara 0. 4 dan 0. 8v (kebanyakan di sekitar 0. 6v); Seharusnya tidak ada penurunan tegangan antara probe hitam yang terhubung ke tiang S, probe merah yang terhubung ke tiang D, dan tiang G dan pin lainnya (misalnya, dalam transistor efek-medan-N-saluran, transistor efek-p-channel harus memiliki nilai penurunan tegangan ketika probe merah dihubungkan ke t tiang D dan Black Probe yang terhubung. Sebaliknya, ini menunjukkan bahwa transistor efek lapangan telah rusak.
Transistor efek lapangan biasanya rusak oleh kerusakan, dan dalam hal ini, pin biasanya dalam keadaan hubung singkat. Oleh karena itu, nilai penurunan tegangan antara pin juga harus ov. Setelah setiap pengukuran transistor efek lapangan MOS, sejumlah kecil muatan akan dibebankan pada kapasitor persimpangan GS, membangun UG Voltase. Saat mengukur lagi, probe mungkin tidak bergerak (jika menggunakan multimeter digital, kesalahan pengukuran akan besar). Pada saat ini, Sirkuit Pendek Terminal GS sebentar.
Kerusakan transistor efek lapangan biasanya disebabkan oleh kerusakan dan sirkuit pendek. Pada saat ini, mengukur dengan multimeter, pin biasanya saling berhubungan. Setelah transistor efek lapangan rusak, umumnya tidak ada kerusakan penampilan yang jelas. Untuk transistor efek medan yang rusak parah, itu mungkin meledak.
