Penerapan Mikroskop Inframerah pada Perangkat Mikro Industri Elektronika
Pengenalan Latar Belakang
Dengan berkembangnya nanoteknologi, metode miniaturisasi top-down semakin banyak diterapkan di bidang teknologi semikonduktor. Teknologi IC dulunya disebut sebagai teknologi “mikroelektronik” karena ukuran transistor berada pada skala mikrometer (10⁻⁶ meter).
Namun demikian, teknologi semikonduktor berkembang pesat, dengan generasi baru yang muncul setiap dua tahun dan ukuran fitur menyusut hingga setengahnya. Ini adalah Hukum Moore yang terkenal. Sekitar 15 tahun yang lalu, industri semikonduktor memasuki era submikron, dimana dimensinya lebih kecil dari satu mikrometer, disusul era submikron dalam dengan ukuran fitur jauh di bawah satu mikrometer. Pada tahun 2001, dimensi transistor bahkan sudah turun di bawah 0,1 mikrometer, yakni kurang dari 100 nanometer. Oleh karena itu, kita berada di era nanoelektronik, dan sebagian besar sirkuit terpadu (IC) di masa depan akan dibuat menggunakan nanoteknologi.
Persyaratan Teknis
Saat ini, modus kegagalan utama komponen elektronik adalah kegagalan termal. Statistik menunjukkan bahwa 55% kegagalan perangkat elektronik disebabkan oleh suhu yang melebihi batas yang ditentukan. Ketika suhu meningkat, tingkat kegagalan perangkat elektronik meningkat secara eksponensial. Secara umum, keandalan operasional komponen elektronik sangat sensitif terhadap suhu. Jika suhu perangkat berada dalam kisaran 70–80 derajat, setiap kenaikan 1 derajat akan mengurangi keandalan sebesar 5%. Oleh karena itu, diperlukan pengukuran suhu komponen yang cepat dan andal. Karena perangkat semikonduktor terus menyusut ukurannya, tuntutan yang lebih tinggi ditempatkan pada resolusi suhu dan resolusi spasial peralatan inspeksi.
